一·真空熔煉爐 雙管區(qū)熔提純爐  設備用途：

1. 提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料；

2. 區(qū)熔致勻（使一種欲摻入的雜質(zhì)十分均勻地分布在整個單晶體中）

3. 焊接和測量液體中的擴散率等。

二·真空熔煉爐 雙管區(qū)熔提純爐  優(yōu)點：

 1·區(qū)熔加熱爐采用往復區(qū)熔的方式，閉環(huán)溫度控制，可靠的控制熔區(qū)的寬度問題；生長室的設計成功解     決生長室的污染問題，
 2·將加熱及保溫材料均設置在生長腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時抽真空；將流動高純氫氣通     入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問題；
 3·開發(fā)高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進行操作，任意設置區(qū)熔的溫度，區(qū)熔的速度及次數(shù)。

三·主要技術參數(shù)

1. 最高加熱溫度：     1200℃ 使用溫度：500-1100℃

2. 設備功率：          ≤35Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五線制）

3. 感應電源功率：     20Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五線制）頻率≥400kHz。

4. 紅外加熱功率：      2kw*2(暫定）

5. 冷態(tài)極限真空度：   ≤5×10^-4Pa

6. 石墨舟尺寸：     Ф70*200mm（外徑*長度，半圓柱）

7. 石英管（腔室）尺寸： ￠90*1500（根據(jù)實際情況做調(diào)整）

8. 加熱方式：        高頻感應加熱

9·區(qū)熔行程及速度：  位移行程 ≦1200mm
                   慢速：0.1-10mm/h（伺服控制）精度0.01mm
               快速：200mm/min（伺服控制）（空走或者后退）
10.爐內(nèi)充氣壓力：    ≤0.03MPa（氬氣）
11·充氣系統(tǒng)：      自動充放氣
12.區(qū)熔溫區(qū)：       2溫區(qū)
13.石英管法蘭連接方式：真空水冷密封法蘭形式，留KF25真空接口，法蘭材質(zhì)304不銹鋼
14.控制方式：觸摸屏+plc