一·真空晶體生長爐 KZJT-25-21 設備用途
設備主要用于科研對晶體生長過程,可用于制備氧化物單晶和金屬單晶晶體制備,如藍寶石、GGG,YAG,LaAlO3,Si和Ge等
二·真空晶體生長爐 KZJT-25-21 產品特點
1·模塊化設計,結構緊湊,外形美觀,
2·采用側部開門,結構精巧,方便,移動平穩(wěn)裝卸料方便
3· 采用觸摸屏+plc控制方式,自動化程度高,操作直觀,功能強大。
4· 在觸摸屏內可預存幾十種燒結工藝,一次編輯,以后直接調用使用,省去多次編輯工藝的麻煩,避免輸入錯誤,燒壞產品。
5· 燒結的溫度,真空度,等數(shù)據(jù)可實時記錄,也可隨時啟動停止記錄,減少無用數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)可查詢,可導出下載。
6· 燒結溫度高,用石墨坩堝,最高可達2100℃,
三·設備參數(shù)
1·設備總功率:≤35Kw;電源電壓:3相380V,50Hz
2·最高溫度:2100℃ 加熱功率 ≤25Kw 三相380V 30-80KHz 高頻感應加熱
3·額定溫度:室溫~2100℃
4. 感應線圈尺寸:Ф90×100mm(直徑×高,) 中間設置保溫層坩堝底放置線圈內部,防止底部材料固化。
6·腔體尺寸臥式Ф400Ф500mm(暫定)
7.測溫系統(tǒng): 在坩堝側部設計測溫孔 配置紅外測溫儀和歐陸程序儀表
9. 提拉速度: 慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)
10. 提拉桿旋轉速度0.1-25r/min
11. 提拉桿升降快速速度:≤35mm/min
12. 提拉行程:≤300mm
13. 爐內充氣壓力:≤0.03MPa
14. 冷態(tài)極限真空度:6.7*10-4pa(配置真空計,真空規(guī)管配置油陶瓷防腐涂層)